绍兴旭昌科技企业有限公司
企业简介

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绍兴旭昌科技企业有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN201413826Y 台面型玻璃钝化二极管芯片 2010.02.24 本实用新型公开了一种台面型玻璃钝化二极管芯片。它包括芯片,台面侧壁钝化玻璃层,其玻璃钝化层具有在PN
2 CN201360004Y 台面型晶闸管浪涌抑制器芯片 2009.12.09 本实用新型公开了一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片。它包括硅基片,短基区及发射区,在硅基片的边缘设有台面
3 CN201414083Y 微型单相全波桥式整流器件 2010.02.24 本实用新型公开了一种微型单相全波桥式整流器件,封装体、四个相互连接构成桥式整流电路的二极管芯片,以及
4 CN201413823Y 表面贴装双芯片二极管整流器件 2010.02.24 一种表面贴装双芯片二极管整流器件,包括采用绝缘材料制成的壳封体、金属引线框架和双芯片二极管半导体芯片
5 CN201466031U 能防止高压放电的台面型整流芯片 2010.05.12 本实用新型公开了一种能防止高压放电的台面型整流芯片。它包括芯片,台面侧壁钝化玻璃层及防高压放电的钝化
6 CN201466022U 微型贴片二极管封装的引线框架与芯片连接结构 2010.05.12 本实用新型公开了一种微型贴片二极管封装的引线框架与芯片连接结构,包括用于搭载芯片的芯片载台,和配线。
7 CN102944824B 一种整流二极管瞬态高温反向漏电流的测试方法 2014.11.05 本发明公开一种整流二极管的瞬态高温反向漏电流的测试方法,属于半导体器件测试领域。所述方法先测试同规格
8 CN103474422A 一种单相整流桥 2013.12.25 本发明公开一种单相整流桥,属于半导体器件领域,包括塑封体、以及设置在塑封体内的整流芯片、焊盘和设置在
9 CN103426874A 一种超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用 2013.12.04 本发明公开一种超薄高压瞬态电压抑制二极管及其应用,属于半导体器件领域,包括塑封体、上框架、下框架,以
10 CN103427409A 一种浪涌保护器 2013.12.04 本发明公开一种浪涌保护器,属于半导体器件领域,包括塑封体、上框架、下框架,以及焊接在上框架和下框架上
11 CN102437199B 台面型单向负阻二极管芯片及其制造方法 2013.09.04 本发明公开了一种台面型单向负阻二极管芯片及其制造方法。在硅基片其中一面掺杂与硅基片导电类型相反的杂质
12 CN102412268B 平面型单向触发二极管芯片及其制造方法 2013.08.07 本发明公开一种平面型单向触发二极管芯片及其制造方法。它包括硅基片,在硅基片的抛光面上设有第一PN结以
13 CN103151326A 一种半波可控全波桥式整流器 2013.06.12 本发明公开一种半波可控全波桥式整流器,属于半导体器件领域。包括塑封体、整流芯片、以及设置在塑封体内的
14 CN202996841U 一种晶闸型二极管芯片 2013.06.12 本实用新型公开一种晶闸型二极管芯片,属于半导体器件领域。包括长基区、阳极发射区、短基区和阴极发射区;
15 CN202996844U 双台阶台面型二极管芯片 2013.06.12 本实用新型公开一种双台阶台面型二极管芯片,属于半导体领域,包括硅基片,其中,该硅基片包含有N型衬底和
16 CN102969352A 一种晶闸型二极管芯片 2013.03.13 本发明公开一种晶闸型二极管芯片,属于半导体器件领域。包括长基区、阳极发射区、短基区和阴极发射区;阳极
17 CN102944824A 一种整流二极管瞬态高温反向漏电流的测试方法 2013.02.27 本发明公开一种整流二极管的瞬态高温反向漏电流的测试方法,属于半导体器件测试领域。所述方法先测试同规格
18 CN202721130U 台面型双向触发二极管 2013.02.06 本实用新型公开一种台面型双向触发二极管,属于半导体领域,包括第三扩散层、第一扩散层、硅基片、第二扩散
19 CN102148145B 硼扩散源片的制备和检测补源方法 2013.01.02 本发明公开了一种硼扩散源片的制备和检测补源方法。其制备方法为:将硼扩散源粉末均匀分散于醇类或醚类或酯
20 CN102820333A 台面型反向阻断二极晶闸管芯片 2012.12.12 本发明公开了一种台面型反向阻断二极晶闸管芯片。包括P1阳极发射区、N1长基区、P2短基区及N2阴极发
21 CN102130182B 一种电流调整二极管芯片及其制造方法 2012.11.21 本发明公开了一种电流调整二极管芯片,其包括衬底层以及覆盖衬底层上的外延层;其中,于所述外延层的中心区
22 CN202534653U 台面型单向负阻二极管芯片 2012.11.14 本实用新型公开了一种台面型单向负阻二极管芯片。在硅基片其中一面掺杂与硅基片导电类型相反的杂质形成第一
23 CN202363465U 单台面双向触发二极管芯片 2012.08.01 本实用新型公开了一种单台面双向触发二极管芯片。它包括硅基片,在硅基片上制作有第一PN结和第二PN结的
24 CN301981902S 双二极管(小型表面贴装J型引线式) 2012.07.11 1.本外观设计产品的名称:双二极管(小型表面贴装J型引线式);2.本外观设计产品的用途:作为元器件用
25 CN102061474B 一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法 2012.06.27 本发明公开了一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法,其包括如下工艺步骤:制作晶圆正面保护材料;采用不锈钢
26 CN102437199A 台面型单向负阻二极管芯片及其制造方法 2012.05.02 本发明公开了一种台面型单向负阻二极管芯片及其制造方法。在硅基片其中一面掺杂与硅基片导电类型相反的杂质
27 CN102412268A 平面型单向触发二极管芯片及其制造方法 2012.04.11 本发明公开一种平面型单向触发二极管芯片及其制造方法。它包括硅基片,在硅基片的抛光面上设有第一PN结以
28 CN202183370U 非互联型多芯片封装二极管 2012.04.04 本实用新型公开了一种非互联型多芯片封装二极管。它包括塑封体,芯片,上引线框架及下引线框架,上引线框架
29 CN102263094A 非互联型多芯片封装二极管 2011.11.30 本发明公开了一种非互联型多芯片封装二极管。它包括塑封体,芯片,上引线框架及下引线框架,上引线框架由上
30 CN102148145A 硼扩散源片的制备和检测补源方法 2011.08.10 本发明公开了一种硼扩散源片的制备和检测补源方法。其制备方法为:将硼扩散源粉末均匀分散于醇类或醚类或酯
31 CN102130182A 一种电流调整二极管芯片及其制造方法 2011.07.20 本发明公开了一种电流调整二极管芯片,其包括衬底层以及覆盖衬底层上的外延层;其中,于所述外延层的中心区
32 CN101373932B 微型表面贴装单相全波桥式整流器及其制造方法 2011.06.29 本发明公开了一种微型表面贴装单相全波桥式整流器及其制造方法。所述整流器包括4个组成桥式整流电路的整流
33 CN201845785U 一种电流调整二极管芯片 2011.05.25 本实用新型涉及一种电流调整二极管芯片,其包括P型衬底层以及覆盖在衬底层上的N型外延层;其中,所述外延
34 CN102061474A 一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法 2011.05.18 本发明公开了一种半导体晶圆的超厚度化学减薄方法,其包括如下工艺步骤:制作晶圆正面保护材料;采用不锈钢
35 CN101814500A 台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法 2010.08.25 本发明公开了一种台面型晶闸管浪涌抑制器芯片及其制作方法。它包括硅基片,短基区及发射区,在硅基片的边缘
36 CN201555900U 测试微型单相全波桥式整流器件稳态热阻及结温的装置 2010.08.18 本实用新型公开了测试微型单相全波桥式整流器件稳态热阻及结温的装置,包括材料安装板、恒温系统、加热系统
37 CN101719518A 具有垂直表面造型的平面PN结芯片及其制造方法 2010.06.02 本发明提供了一种具有垂直表面造型的平面PN结芯片及其制造方法,本方法的芯片PN结表面造型是用划切方法
38 CN101373932A 微型表面贴装单相全波桥式整流器及其制造方法 2009.02.25 本发明公开了一种微型表面贴装单相全波桥式整流器及其制造方法。所述整流器包括4个组成桥式整流电路的整流
39 CN201118457Y 微型表面贴装单相全波桥式整流器 2008.09.17 本实用新型公开了一种微型表面贴装单相全波桥式整流器。它包括4个组成桥式整流电路的整流芯片,输入端子,
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